Miller-platåtiden er nesten null (se figur 3) og det totale koblingstapet reduseres med minst 70 %
Oct 19, 2022| Miller-platåtiden er nesten null (se figur 3) og det totale koblingstapet reduseres med minst 70 %
Som vist i tabell 1, med samme RDS(ON), har galliumnitrid en mindre parasittisk kapasitans, og Ciss og Crss er henholdsvis 1/12 og 1/23 av Si CoolMOS, noe som resulterer i en raskere byttehastighet. I BTPPFC hurtigbroarm reduseres strøm- og spenningsoverlappingstiden med mer enn 88 % (se figur 2). Miller-platåtiden er nesten null (se figur 3) og det totale koblingstapet reduseres med minst 70 %.
Coss for InnoGaN er mindre og har bedre linearitet (se figur 4). Når Vds er lav, er Coss av GaN mye mindre enn for Si MOS, og Si vil ha en skråningsmutasjonsprosess. Det kan sees fra systembølgeformen at svitsjeoverlappingstapet til GaN er langt mindre enn det for Si MOS, og Dv/dt for GaN i t2-t3-segmentet er mindre enn det for Si MOS, så EMI-støyen som genereres er også mindre.
